TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TK3A60DA(STA4,Q,M) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
23800 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.075/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M) Description détaillée

Numéro d'article TK3A60DA(STA4,Q,M)
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220SIS
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TK3A60DA(STA4,Q,M)