TK20N60W,S1VF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK20N60W,S1VF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK20N60W,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247	Détails
	TK20N60W5,S1VF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247	Détails