TK20A60U(Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK20A60U(Q,M)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 10V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK20A25D,S5Q(M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS	Détails
TK20A60U	TOSHIBA	TK20A60U TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	Détails
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