TK16N60W,S1VF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK16N60W,S1VF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-