TK13A50D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK13A50D(STA4,Q,M)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK13A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS	Détails
TK13A50DA(STA4,Q,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS	Détails
TK13A55DA(STA4,QM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS	Détails