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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › THGBMHG7C2LBAWR
THGBMHG7C2LBAWR

THGBMHG7C2LBAWR - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
THGBMHG7C2LBAWR
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
IC FLASH 128GBIT 52MHZ 169BGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
THGBMHG7C2LBAWR Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
THGBMHG7C2LBAWR.pdf
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1590 pcs
Prix ​​de référence
USD 16.7557/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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THGBMHG7C2LBAWR Description détaillée

Numéro d'article THGBMHG7C2LBAWR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 128Gb (16G x 8)
Fréquence d'horloge 52MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire MMC
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 153-WFBGA
Package de périphérique fournisseur 153-WFBGA (11.5x13)
Poids -
Pays d'origine -

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