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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TC58NYG2S0HBAI6
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TC58NYG2S0HBAI6 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
60 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.47/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6 Description détaillée

Numéro d'article TC58NYG2S0HBAI6
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire EEPROM
La technologie EEPROM - NAND
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 67-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 67-VFBGA (6.5x8)
Poids -
Pays d'origine -

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