TBC857B,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TBC857B,LM
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 100mA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	30nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	210 @ 2mA, 5V
Puissance - Max	320mW
Fréquence - Transition	80MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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