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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › SSM6P35FE,LM
SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6P35FE,LM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SSM6P35FE,LM Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
301427 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0858/pcs
Notre prix
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SSM6P35FE,LM Description détaillée

Numéro d'article SSM6P35FE,LM
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12.2pF @ 3V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

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