SSM6P15FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM6P15FE(TE85L,F)
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.7V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V
Puissance - Max	150mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6 (1.6x1.6)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SSM6P15FE	TOSHIBA	SSM6P15FE TOSHIBA ES6 New Original Stocks	Détails
SSM6P15FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6	Détails
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