SSM6N57NU,LF

SSM6N57NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6N57NU,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1575/pcs
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SSM6N57NU,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM6N57NU,LF
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-µDFN(2x2)
Poids -
Pays d'origine -

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