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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › SSM6N56FE,LM
SSM6N56FE,LM

SSM6N56FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6N56FE,LM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
10000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0924/pcs
Notre prix
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SSM6N56FE,LM Description détaillée

Numéro d'article SSM6N56FE,LM
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

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