SSM6L35FU(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM6L35FU(TE85L,F)
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V
Puissance - Max	200mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	US6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SSM6L35FE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6	Détails
SSM6L35FU	TOS	SSM6L35FU TOS SC70-6 New Original Stocks	Détails
SSM6L35FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6	Détails
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SSM6L36FE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6	Détails
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