SSM6L11TU(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM6L11TU(TE85L,F)
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 250MA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V
Puissance - Max	500mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur	UF6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SSM6L11TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S	Détails
SSM6L12TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6	Détails
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