SSM6J507NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM6J507NU,LF
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V
Vgs (Max)	+20V, -25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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