SSM6J502NU,LF

SSM6J502NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6J502NU,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
758757 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.217/pcs
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SSM6J502NU,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM6J502NU,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

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