SSM3K106TU(TE85L) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM3K106TU(TE85L)
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 600mA, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	UFM
Paquet / cas	3-SMD, Flat Leads
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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