SSM3J16CT(TPL3)

SSM3J16CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM3J16CT(TPL3)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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4397 pcs
Prix ​​de référence
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SSM3J16CT(TPL3) Description détaillée

Numéro d'article SSM3J16CT(TPL3)
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 3V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur CST3
Paquet / cas SC-101, SOT-883
Poids -
Pays d'origine -

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