RN4982FE(T5L,F,T)

RN4982FE(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN4982FE(T5L,F,T)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN4982FE(T5L,F,T) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
9465 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour RN4982FE(T5L,F,T)

RN4982FE(T5L,F,T) Description détaillée

Numéro d'article RN4982FE(T5L,F,T)
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR RN4982FE(T5L,F,T)