RN4611(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	RN4611(TE85L,F)
État de la pièce	Active
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	300mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur	SM6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RN4610(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	Détails
RN4611	TOSHIBA	RN4611 TOSHIBA SOT163 New Original Stocks	Détails
RN4611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	Détails