RN2904FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	RN2904FE,LF
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	100mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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