RN2711(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	RN2711(TE85L,F)
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	400 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseur	USV
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RN2710JE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV	Détails
RN2711	TOSHIBA	RN2711 TOSHIBA SOT-35.. New Original Stocks	Détails
RN2711(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV	Détails
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