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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN2422TE85LF
RN2422TE85LF

RN2422TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN2422TE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN2422TE85LF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
241591 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1109/pcs
Notre prix
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RN2422TE85LF Description détaillée

Numéro d'article RN2422TE85LF
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 2.2k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Poids -
Pays d'origine -

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