RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN2310(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
527587 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0483/pcs
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RN2310(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article RN2310(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur USM
Poids -
Pays d'origine -

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