RN1506(TE85L,F)

RN1506(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN1506(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6617 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.57/pcs
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RN1506(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article RN1506(TE85L,F)
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74A, SOT-753
Package de périphérique fournisseur SMV
Poids -
Pays d'origine -

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