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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN1441ATE85LF
RN1441ATE85LF

RN1441ATE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN1441ATE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.058/pcs
Notre prix
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RN1441ATE85LF Description détaillée

Numéro d'article RN1441ATE85LF
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 20V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 5.6K
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 30MHz
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Poids -
Pays d'origine -

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