RN1406S,LF(D - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	RN1406S,LF(D
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	S-Mini
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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