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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN1301,LF
RN1301,LF

RN1301,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN1301,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN1301,LF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
814330 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0321/pcs
Notre prix
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RN1301,LF Description détaillée

Numéro d'article RN1301,LF
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 4.7k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur USM
Poids -
Pays d'origine -

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