HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN4C51J(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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Quantité en stock
3500 pcs
Prix ​​de référence
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HN4C51J(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article HN4C51J(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual) Common Base
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max 300mW
Fréquence - Transition 100MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74A, SOT-753
Package de périphérique fournisseur SMV
Poids -
Pays d'origine -

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