HN1A01FE-GR,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	HN1A01FE-GR,LF
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max	100mW
Fréquence - Transition	80MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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