HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN1A01FE-GR,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
448675 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0604/pcs
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HN1A01FE-GR,LF Description détaillée

Numéro d'article HN1A01FE-GR,LF
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max 100mW
Fréquence - Transition 80MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

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