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Accueil › catégories de produits › Dispositifs contre les surtensions, les surintensités et la surchauffe › TVS - Diodes › DF2S12FS,L3M
DF2S12FS,L3M

DF2S12FS,L3M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF2S12FS,L3M
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TVS DIODE 9VWM 18.5VC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DF2S12FS,L3M Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
DF2S12FS,L3M.pdf
Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0252/pcs
Notre prix
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DF2S12FS,L3M Description détaillée

Numéro d'article DF2S12FS,L3M
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels 1
Canaux bidirectionnels -
Tension - Inverser l'écart (Typ) 9V (Max)
Tension - Panne (Min) 11.4V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 18.5V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 1A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête -
Protection de ligne électrique No
Applications General Purpose
Capacité @ Fréquence 15pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOD-923
Package de périphérique fournisseur SOD-923
Poids -
Pays d'origine -

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