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CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article: CMG06(TE12L,Q,M)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: CMG06(TE12L,Q,M) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 1535200 pcs
Prix de référence: USD 0.10725/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

CMG06(TE12L,Q,M) Description détaillée

Numéro d'article	CMG06(TE12L,Q,M)
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOD-128
Package de périphérique fournisseur	M-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

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