CBS05F30,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	CBS05F30,L3F
État de la pièce	Active
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Courant - Rectifié moyen (Io)	500mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	-
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	50µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F	118pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOD-882
Package de périphérique fournisseur	CST2B
Température de fonctionnement - Jonction	125°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	CBS05F30(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B	Détails
	CBS05F30,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F CST2B SBD DIODE VR30V	Détails