2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SK880-Y(TE85L,F)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	50V
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1.2mA @ 10V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	1.5V @ 100nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 10V
Résistance - RDS (On)	-
Puissance - Max	100mW
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur	USM
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2SK880-BL(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	Détails
2SK880-Y	TOSHIBA	2SK880-Y TOSHIBA SOT323 New Original Stocks	Détails
2SK880-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	Détails
2SK880GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	Détails