2SK3906(Q)

2SK3906(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SK3906(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3518 pcs
Prix ​​de référence
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2SK3906(Q) Description détaillée

Numéro d'article 2SK3906(Q)
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4250pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P(N)
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Poids -
Pays d'origine -

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