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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › 2SK2963(TE12L,F)
2SK2963(TE12L,F)

2SK2963(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SK2963(TE12L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
2SK2963(TE12L,F) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
2SK2963(TE12L,F).pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3744 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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2SK2963(TE12L,F) Description détaillée

Numéro d'article 2SK2963(TE12L,F)
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PW-MINI
Paquet / cas TO-243AA
Poids -
Pays d'origine -

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