2SK208-R(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SK208-R(TE85L,F)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	-
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	300µA @ 10V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	400mV @ 100nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8.2pF @ 10V
Résistance - RDS (On)	-
Puissance - Max	100mW
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	S-Mini
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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