2SD2695,T6F(J

2SD2695,T6F(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SD2695,T6F(J
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
2SD2695,T6F(J.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3966 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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2SD2695,T6F(J Description détaillée

Numéro d'article 2SD2695,T6F(J
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Puissance - Max 900mW
Fréquence - Transition 100MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur TO-92MOD
Poids -
Pays d'origine -

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