2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SA1955FVATPL3Z
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
2SA1955FVATPL3Z.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
20000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0737/pcs
Notre prix
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2SA1955FVATPL3Z Description détaillée

Numéro d'article 2SA1955FVATPL3Z
État de la pièce Obsolete
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 400mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Puissance - Max 100mW
Fréquence - Transition 130MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-101, SOT-883
Package de périphérique fournisseur CST3
Poids -
Pays d'origine -

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