2SA1680,T6F(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SA1680,T6F(J
État de la pièce	Last Time Buy
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 100mA, 2V
Puissance - Max	900mW
Fréquence - Transition	100MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur	TO-92MOD
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2SA1600	SHINDENGEN	Switching Power Transistor(-12A PNP)	Détails
2SA1601	SHINDENGEN	Switching Power Transistor(-15A PNP)	Détails
2SA1602	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (SUPER MINI TYPE)	Détails
2SA1602-T111-1F	MITSUBISHI	2SA1602-T111-1F MITSUBISHI SOT323 New Original Stocks	Détails
2SA1602A	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)	Détails
2SA1603	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	Détails
2SA1603-T111-1R	MITSUBISHA	2SA1603-T111-1R MITSUBISHA SOT323 New Original Stocks	Détails
2SA1603A	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)	Détails
2SA1603A-T150-1R	MIT	2SA1603A-T150-1R MIT SOT323 New Original Stocks	Détails
2SA1603Q	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	Détails