2SA1382,T6MIBF(J

2SA1382,T6MIBF(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SA1382,T6MIBF(J
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
2SA1382,T6MIBF(J.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3874 pcs
Prix ​​de référence
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2SA1382,T6MIBF(J Description détaillée

Numéro d'article 2SA1382,T6MIBF(J
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 33mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Puissance - Max 900mW
Fréquence - Transition 110MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur TO-92MOD
Poids -
Pays d'origine -

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