CSD86356Q5DT

CSD86356Q5DT - Texas Instruments

Numéro d'article
CSD86356Q5DT
Fabricant
Texas Instruments
Brève description
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CSD86356Q5DT Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
87115 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.89/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CSD86356Q5DT

CSD86356Q5DT Description détaillée

Numéro d'article CSD86356Q5DT
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Puissance - Max 12W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CSD86356Q5DT