CSD22205L - Texas Instruments

Numéro d'article	CSD22205L
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	-6V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1390pF @ 4V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	4-PICOSTAR
Paquet / cas	4-XFLGA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CSD-1401MC	MURATA-PS	14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit	Détails
CSD-313D	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Détails
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CSD-313EG	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Détails
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CSD-323D	EXSHINE	NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION	Détails