CSD19537Q3

CSD19537Q3 - Texas Instruments

Numéro d'article
CSD19537Q3
Fabricant
Texas Instruments
Brève description
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CSD19537Q3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5166/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CSD19537Q3

CSD19537Q3 Description détaillée

Numéro d'article CSD19537Q3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CSD19537Q3