CSD19535KTTT

CSD19535KTTT - Texas Instruments

Numéro d'article
CSD19535KTTT
Fabricant
Texas Instruments
Brève description
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
750 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.0618/pcs
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CSD19535KTTT Description détaillée

Numéro d'article CSD19535KTTT
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7930pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DDPAK/TO-263-3
Paquet / cas TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Poids -
Pays d'origine -

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