CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT - Texas Instruments

Numéro d'article
CSD17579Q3AT
Fabricant
Texas Instruments
Brève description
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1875 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.43/pcs
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CSD17579Q3AT Description détaillée

Numéro d'article CSD17579Q3AT
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 998pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-VSONP (3x3.15)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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