CSD13201W10

CSD13201W10 - Texas Instruments

Numéro d'article
CSD13201W10
Fabricant
Texas Instruments
Brève description
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CSD13201W10 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
180000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1204/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CSD13201W10

CSD13201W10 Description détaillée

Numéro d'article CSD13201W10
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 462pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 1A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 4-DSBGA (1x1)
Paquet / cas 4-UFBGA, DSBGA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CSD13201W10