BQ4010YMA-85N - Texas Instruments

Numéro d'article	BQ4010YMA-85N
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	NVSRAM
La technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire	64Kb (8K x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	85ns
Temps d'accès	85ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Package de périphérique fournisseur	28-DIP Module (18.42x37.72)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BQ4010LYMA-70N	TI	BQ4010LYMA-70N TI SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
BQ4010MA-150	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP	Détails
BQ4010MA-200	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP	Détails
BQ4010MA-70	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP	Détails
BQ4010MA-85	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP	Détails
BQ4010YMA-150	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP	Détails
BQ4010YMA-150N	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP	Détails
BQ4010YMA-200	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP	Détails
BQ4010YMA-70	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP	Détails
BQ4010YMA-70N	Texas Instruments	IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP	Détails