BDS2A60028KJ - TE Connectivity Passive Product

Numéro d'article	BDS2A60028KJ
État de la pièce	Active
Résistance (Ohms)	28k
Tolérance	±5%
Puissance (Watts)	600W
Composition	Thick Film
Coéfficent de température	±150ppm/°C
Température de fonctionnement	-55°C ~ 140°C
Caractéristiques	RF, High Frequency
Revêtement, Type de logement	Epoxy Coated
Caractéristique de montage	Flanges
Taille / Dimension	2.559" L x 2.362" W (65.00mm x 60.00mm)
Hauteur - Assis (Max)	1.417" (36.00mm)
Style de fil	M4 Threaded
Paquet / cas	Box
Taux d'échec	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BDS20	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS20SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS21	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
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