| Numéro d'article | N06DB4R7M |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type | - |
| Matériel - Noyau | - |
| Inductance | 4.7µH |
| Tolérance | ±20% |
| Note actuelle | 2.5A |
| Courant - Saturation | - |
| Blindage | Unshielded |
| Résistance DC (DCR) | 46 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Fréquence - Self Resonant | 33MHz |
| Évaluations | - |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
| Fréquence - Test | 1kHz |
| Caractéristiques | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Nonstandard |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Taille / Dimension | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.126" (3.20mm) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Détails |
|
N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Détails |
|
N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Détails |
|
N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Détails |
 |
N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Détails |
|
N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | Détails |
|
N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | Détails |
|
N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | Détails |
 |
N06A | NATIONAL | N06A NATIONAL SOT-22.. New Original Stocks | Détails |
|
N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | Détails |
